TPS22964CYZPR具有反向電流保護(hù)和受控接通功能的導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)
產(chǎn)品型號(hào)：TPS22964CYZPR
產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器
產(chǎn)品封裝：DSBGA6
產(chǎn)品功能：導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)
TPS22964CYZPR特性
●集成 N 通道負(fù)載開(kāi)關(guān)
●輸入電壓范圍：1V 至 5.5V
●內(nèi)部導(dǎo)通 FET RDSON = 8mΩ（典型值）
●超低導(dǎo)通電阻
RON = 13mΩ（典型值），此時(shí) VIN = 5V
RON = 14mΩ（典型值），此時(shí) VIN = 3.3V
RON = 18mΩ（典型值），此時(shí) VIN = 1.8V
●3A 最大持續(xù)開(kāi)關(guān)電流
●反向電流保護(hù)（禁用時(shí)）
●低關(guān)斷電流 (760nA)
●1.3V GPIO 低閾值控制輸入
●受控轉(zhuǎn)換率可避免浪涌電流
●快速輸出放電（只適用于 TPS22964）
●六引腳晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝
0.9mm x 1.4mm，0.5mm 焊球間距，0.5mm 高度 (YZP)
●經(jīng)測(cè)試，靜電放電 (ESD) 性能符合 JESD 22 規(guī)范
2kV 人體模型（A114-B，II 類）
500V 充電器件模型 (C101)
TPS22964CYZPR說(shuō)明
TPS22964CYZPR 是一款具有受控接通功能的小型超低 RON 負(fù)載開(kāi)關(guān)。 此器件包含一個(gè)低 RDSON N 通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)，可在 1V 至 5.5 輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行并支持高達(dá) 3A 的開(kāi)關(guān)電流。采用集成電荷泵偏置 NMOS 開(kāi)關(guān)，從而獲得一個(gè)低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻。 此開(kāi)關(guān)可由一個(gè)打開(kāi)/關(guān)閉輸入 (ON) 控制，此輸入可與低壓 GPIO 控制信號(hào)直接對(duì)接。 TPS22963/64 器件的上升時(shí)間受到內(nèi)部控制以避免浪涌電流。
TPS22964CYZPR提供反向電流保護(hù)。 當(dāng)電源開(kāi)關(guān)禁用時(shí)，該器件將防止電流流向開(kāi)關(guān)輸入端。 反向電流保護(hù)功能只有在該器件禁用時(shí)才有效，以便允許某些應(yīng)用中特意的反向電流（開(kāi)關(guān)使能時(shí)）。
TPS22964CYZPR采用超小型、節(jié)省空間的 6 引腳晶圓級(jí)芯片 (WCSP) 封裝，額定工作環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
