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  • 產品名稱：
    FQP19N20C 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，200 V，19 A，170 m?，TO-220
  • 功能名稱：
    功率 MOSFET，
  • 概要：

    ■產品名稱：FQP19N20C

    ■功能名稱：功率 MOSFET，N 溝道，QFET®，200 V，19 A，170 m?，TO-220

    ■概要:

    此 N 溝道增強型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面條紋和 DMOS 專屬技術生產的。此先進 MOSFET 技術適用于降低導通電阻，提供卓越的開關性能以及高雪崩能量強度。此類器件適用于開關模式電源、有源功率系數校正 (PFC) 和電子燈鎮(zhèn)流器。

    ■特征：
     
    • ●19A, 200V, RDS(on) = 170mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 9.5A柵極電荷低（典型值：40.5nC)
      ●低 Crss（典型值85pF)
      ●100% 經過雪崩擊穿測試
      ●100% 雪崩測試
       
  • 特征：

    • FQP19N20C 功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，200 V，19 A，170 m?，TO-220
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