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FQP6N40C
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■產(chǎn)品名稱:FQP6N40C
■功能名稱:功率MOSFET,N-通道,QFET®,400 V,6A,1.0 Ω,TO-220
■概要:
這種n通道增強模式功率MOSFET是使用ON半導體半導體的專有平面條紋和DMOS技術生產(chǎn)的。這種先進的MOSFET技術已經(jīng)特別定制,以降低狀態(tài)電阻,并提供優(yōu)越的開關性能和高雪崩能量強度。這些設備適用于開關模式電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)和電子燈鎮(zhèn)流器。
■產(chǎn)品特性:
●6A、400V、RDS(開啟)=1.0Ω(最大值)@VGS = 10 V,ID = 3A
●低柵極電荷(類型。16nC)
●低精度(類型。15pF)
●100%雪崩測試
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