■產(chǎn)品名稱：LTC7891RUFDM#TRPBF
■功能名稱：100 V，低 IQ， 用于GaN FET的同步降壓控制器
■概要:
該LTC7891是一款高性能降壓型DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器，可驅(qū)動(dòng)輸入電壓高達(dá)100 V的所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）功率級(jí)。該LTC7891解決了使用GaN FET時(shí)傳統(tǒng)上面臨的許多挑戰(zhàn)。與金屬氧化硅半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 解決方案相比，該LTC7891簡(jiǎn)化了應(yīng)用設(shè)計(jì)，同時(shí)不需要保護(hù)二極管和其他額外的外部元件。
內(nèi)部智能自舉開(kāi)關(guān)可防止 BOOST 引腳至SW 引腳高側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源在死區(qū)期間過(guò)度充電，從而保護(hù)頂部 GaN FET 的柵極。該LTC7891在內(nèi)部?jī)?yōu)化了兩個(gè)開(kāi)關(guān)邊沿的柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)序，以實(shí)現(xiàn)智能接近零死區(qū)時(shí)間，從而顯著提高效率，并允許高頻工作，即使在高輸入電壓下也是如此?；蛘?，用戶可以使用外部電阻器調(diào)整死區(qū)時(shí)間以獲得裕量或定制應(yīng)用。
LTC7891的柵極驅(qū)動(dòng)電壓可以在4 V至5.5 V范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié)，以優(yōu)化性能，并允許使用不同的GaN FET，甚至邏輯電平MOSFET。
請(qǐng)注意，在本數(shù)據(jù)手冊(cè)中，多功能引腳（如PLLIN/SPREAD）要么由整個(gè)引腳名稱引用，要么由引腳的單個(gè)功能（例如PLLIN）引用，而僅與該功能相關(guān)。
■特征：
●氮化鎵驅(qū)動(dòng)技術(shù)針對(duì)氮化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行了全面優(yōu)化
●寬V型在范圍：4 V 至 100 V
●寬輸出電壓范圍：0.8V ≤ V外≤ 60 V
●無(wú)需箝位、箝位或自舉二極管
●內(nèi)部智能自舉開(kāi)關(guān)可防止高側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源過(guò)度充電
●內(nèi)部?jī)?yōu)化、智能接近零死區(qū)時(shí)間或電阻器可調(diào)死區(qū)時(shí)間
●分離式輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，可調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度
●精確可調(diào)的驅(qū)動(dòng)器電壓和欠壓鎖定 （UVLO）
●低工作 IQ：5 μA （48 V在至 5 V外)
●可編程頻率（100 kHz 至 3 MHz）
●可鎖相頻率（100 kHz 至 3 MHz）
●擴(kuò)頻調(diào)頻
●28 引腳（4 mm × 5 mm）側(cè)面可濕 QFN 封裝
