■產(chǎn)品名稱：TLC27L2CDR
■功能名稱：雙通道、16V、85kHz、低功耗（10μA/通道）、輸入接近 V- 的運算放大器
■概要:
TLC27L2和TLC27L7雙運放結(jié)合了寬范圍的輸入偏置電壓等級，具有低偏置電壓漂移，高輸入阻抗，極低功耗和高增益。
這些器件使用德州儀器硅柵LinCMOSTM技術(shù)，其提供的偏置電壓穩(wěn)定性遠遠超過傳統(tǒng)金屬柵工藝的穩(wěn)定性。
極高的輸入阻抗，低偏置電流和低功耗使這些具有成本效益的器件成為高增益，低頻，低功耗應(yīng)用的理想選擇。有四個偏置電壓等級可供選擇(C后綴和I后綴類型)，從低成本的TLC27L2(10 mV)到高精度的TLC27L7(500 μV)。這些優(yōu)點，再加上良好的共模抑制和電源電壓抑制，使這些器件成為新最先進的設(shè)計以及現(xiàn)有設(shè)計升級的良好選擇。
總的來說，LinCMOSTM運放具有與雙極技術(shù)相關(guān)的許多功能，而沒有雙極技術(shù)的功耗懲罰。一般應(yīng)用，如傳感器接口，模擬計算，放大器塊，有源濾波器和信號緩沖器很容易設(shè)計與TLC27L2和TLC27L7。器件還具有低電壓單電源操作和超低功耗，使它們非常適合遠程和不可訪問的電池供電應(yīng)用。共模輸入電壓范圍包括負軌。
可提供廣泛的封裝選項，包括小輪廓和芯片載體版本的高密度系統(tǒng)應(yīng)用。
器件輸入和輸出設(shè)計，以承受-100毫安的浪涌電流，而不持續(xù)鎖存。
TLC27L2和TLC27L7合并內(nèi)部ESD保護電路，防止在高達2000 V的電壓下的功能故障，根據(jù)MIL-STD-883C，方法3015.2測試； 然而，在處理這些設(shè)備時應(yīng)注意，因為暴露在ESD下可能會導(dǎo)致器件參數(shù)性能的退化。
C后綴器件的特征是0°C至70°C的操作。I后綴器件的特征是-40°C至85°C的操作。M后綴設(shè)備的特點是在-55°C到125°C的整個軍事溫度范圍內(nèi)運行。
■特征：
●調(diào)整偏置電壓：TLC27L7...500μV最大在25°C,VDD=5V
●輸入偏置電壓漂移...通常為0.1μV/月，包括前30天
●寬范圍的電源電壓超過指定的溫度范圍：>0°C至70°C...3V至16V
● -40°C至85°C...4V至16V
● -55°C至125°C...4V至16V
●單電源操作
●共模輸入電壓范圍擴展到負軌道以下(C后綴，I后綴類型)
● 超低功耗...通常為95μW在25°C,VDD=5V
● 輸出電壓范圍包括負軌道
● 高輸入阻抗...1012型
● ESD保護電路
● 小外形封裝選項，也可提供帶和卷
● 內(nèi)置鎖存免疫功能
● LinCMOS是德州儀器的商標(biāo)。
