■產(chǎn)品名稱：DG211BDY-T1-E3
■功能名稱：模擬開關(guān)
■概要:
DG211B、DG212B 模擬開關(guān)經(jīng)過了高度改進(jìn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) DG211、DG212 的版本。這些器件采用 Vishay Siliconix 的專有硅制造柵極 CMOS 工藝，從而降低導(dǎo)通電阻，降低泄漏、更高的速度和更低的功耗。這些四通道單刀單擲開關(guān)采用設(shè)計(jì)適用于電信領(lǐng)域的各種應(yīng)用，儀器儀表、過程控制、計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備等。改進(jìn)的電荷注入補(bǔ)償設(shè)計(jì)
最大限度地減少開關(guān)瞬變。DG211B 和 DG212B可處理高達(dá) 22 V ±，并具有改進(jìn)的連續(xù)電壓額定電流為 30 mA。外延層可防止閂鎖所有器件均具有真正的雙向性能condition，并將在 OFF 時(shí)阻止到電源電平的信號條件。
DG211B 是常閉開關(guān)，DG212B 是常開開關(guān)。（參見真值表。）
■特征：
●± 22 V 額定電源電壓
● TTL 和 CMOS 兼容邏輯
● 低導(dǎo)通電阻 - RDS（on）：50 ?
● 低泄漏 - ID（on）：20 pA
● 可單電源操作
● 擴(kuò)展的溫度范圍
● 快速開關(guān) - tON：120 ns
● 低電荷注入 - Q：1 pC
